Nonvolatile memories with controllable nanogap structures
Nonvolatile memories with controllable nanogap structures
复制标题
具有可控纳米间隙结构的非易失性存储器
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
内藤泰久
中科院分区：
文献类型：
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作者：
古田成生、増田雄一郎、高橋剛、Somu Kumaragurubaran;小野雅敏、菅洋志、清水哲夫;内藤泰久
在气体环境中使用纳米间隙结的电阻切换效应
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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作者：
内藤泰久;菅洋志;清水哲夫;堀川昌代
通讯作者：
堀川昌代
使用硅纳米间隙结的非易失性电阻开关
影响因子：
2.3
作者：
Y. Naitoh;Y. Morita;M. Horikawa;H. Suga;Tetsuo Shimizu
通讯作者：
Tetsuo Shimizu
影响因子：
1.5
作者：
Furuta, Shigeo;Takahashi, Tsuyoshi;Ono, Masatoshi
通讯作者：
Ono, Masatoshi