Resistance Switching Effect using Nanogap Junctions in Gas Environments
Resistance Switching Effect using Nanogap Junctions in Gas Environments
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在气体环境中使用纳米间隙结的电阻切换效应
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
堀川昌代
中科院分区：
文献类型：
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作者：
内藤泰久;菅洋志;清水哲夫;堀川昌代
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使用硅纳米间隙结的非易失性电阻开关
影响因子：
2.3
作者：
Y. Naitoh;Y. Morita;M. Horikawa;H. Suga;Tetsuo Shimizu
通讯作者：
Tetsuo Shimizu
影响因子：
3.2
作者：
Anaya, A;Korotkov, AL;Davidovic, D
通讯作者：
Davidovic, D
基板结构对使用简单金属纳米间隙结的电阻开关的影响
影响因子：
1.5
作者：
Y. Naitoh;M. Horikawa;Tetsuo Shimizu
通讯作者：
Tetsuo Shimizu
通过场发射诱导电迁移控制纳米间隙的隧道电阻
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
Jpn. J. Appl. Phys. 46
影响因子：
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作者：
S. Kayashima;K. Takahashi;M. Motoyama and J. Shirakashi
通讯作者：
M. Motoyama and J. Shirakashi
H2O分子对Au引线之间亚纳米级间隙的影响
影响因子：
3.5
作者：
A. Korotkov;M. Bowman;H. McGuinness;D. Davidović
通讯作者：
D. Davidović