A High-Accuracy, Low-Order Thermal Model of SiC MOSFET Power Modules Extracted from Finite Element Analysis via Model Order Reduction
A High-Accuracy, Low-Order Thermal Model of SiC MOSFET Power Modules Extracted from Finite Element Analysis via Model Order Reduction
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通过模型降阶从有限元分析中提取 SiC MOSFET 功率模块的高精度、低阶热模型
DOI：
10.1109/ecce.2019.8912839
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Hudgins, Jerry L.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Entzminger, Cameron;Qiao, Wei;Qu, Liyan;Hudgins, Jerry L.
影响因子：
6.7
作者：
M. Musallam;C. M. Johnson
通讯作者：
M. Musallam;C. M. Johnson
影响因子：
6.7
作者：
A. Castellazzi
通讯作者：
A. Castellazzi
DOI：
10.1002/seup.200211105
发表时间：
2002-12
期刊：
Sensors Update
影响因子：
--
作者：
E. Rudnyi;J. Korvink
通讯作者：
E. Rudnyi;J. Korvink