Thermal studies of individual Si/Ge heterojunctions — The influence of the alloy layer on the heterojunction
Thermal studies of individual Si/Ge heterojunctions — The influence of the alloy layer on the heterojunction
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单个 Si/Ge 异质结的热研究 – 合金层对异质结的影响
DOI：
10.1016/j.jmat.2020.02.013
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发表时间：
2020
影响因子：
9.4
通讯作者：
Hao, Qing
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wang, Sien;Xu, Dongchao;Gurunathan, Ramya;Snyder, G. Jeffrey;Hao, Qing
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影响因子：
11.5
作者：
D. Xu;R. Hanus;Y. Xiao;S. Wang;G. J. Snyder;Q. Hao
通讯作者：
D. Xu;R. Hanus;Y. Xiao;S. Wang;G. J. Snyder;Q. Hao
通过化学键操纵制备多周期Si/SiO2/Ge层状结构
DOI：
--
发表时间：
1998
期刊：
影响因子：
--
作者：
K. Prabhakaran;T. Matsumoto;T. Ogino;Y. Masumoto
通讯作者：
Y. Masumoto
影响因子：
3.7
作者：
Polanco, Carlos A.;Rastgarkafshgarkolaei, Rouzbeh;Ghosh, Avik W.
通讯作者：
Ghosh, Avik W.
影响因子：
3.2
作者：
Q. Hao;Hongbo Zhao;Yue Xiao;Dongchao Xu
通讯作者：
Q. Hao;Hongbo Zhao;Yue Xiao;Dongchao Xu
晶圆熔融 InP (001)-GaAs (001) 界面的结构
DOI：
--
发表时间：
1997
期刊：
影响因子：
--
作者：
L. Sagalowicz;A. Rudra;A. Syrbu;J. Behrend;F. Salomonsson;K. Streubel;M. Hammar;J. Bentell
通讯作者：
J. Bentell