Variability Modeling and Impact on Design
Variability Modeling and Impact on Design
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变异建模及其对设计的影响
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Hidetoshi Onodera
中科院分区：
文献类型：
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作者：
W. Matsubara;S. Inenaga;A. Ishino;A. Shinohara;T. Nakamura;K. Hashimoto;Hidetoshi Onodera
考虑晶体管和互连的可变性的最坏情况延迟分析
DOI：
10.1145/1231996.1232006
发表时间：
2007
期刊：
ACM International Symposium on Physical Design
影响因子：
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作者：
Takayuki Fukuoka;A. Tsuchiya;H. Onodera
通讯作者：
H. Onodera
RTA 驱动的芯片内阶段延迟变化以及 65nm 技术的参数灵敏度
DOI：
10.1109/vlsit.2006.1705271
发表时间：
2006
期刊：
2006 Symposium on VLSI Technology, 2006. Digest of Technical Papers.
影响因子：
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作者：
I. Ahsan;N. Zamdmer;O. Glushchenkov;R. Logan;E. Nowak;H. Kimura;J. Zimmerman;G. Berg;J. Herman;E. Maciejewski;A. Chan;A. Azuma;S. Deshpande;B. Dirahoui;G. Freeman;A. Gabor;M. Gribelyuk;S. Huang;M. Kumar;K. Miyamoto;D. Mocuta;A. Mahorowala;E. Leobandung;H. Utomo;B. Walsh
通讯作者：
B. Walsh
晶体管布局和沟槽隔离引起的应力导致 NMOS 驱动电流降低
DOI：
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发表时间：
1999
期刊：
International Electron Devices Meeting 1999. Technical Digest (Cat. No.99CH36318)
影响因子：
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作者：
G. Scott;J. Lutze;M. Rubin;F. Nouri;M. Manley
通讯作者：
M. Manley