Site-Controlled Growth of Single GaN Quantum Dots in GaN/AlGaN Nanowires
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GaN/AlGaN 纳米线中单 GaN 量子点的位点控制生长
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Yasuhiko Arakawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kihyun Choi;Munetaka Arita;Satoshi Kako;and Yasuhiko Arakawa
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影响因子：
4
作者：
S. Kako;K. Hoshino;S. Iwamoto;S. Ishida;Y. Arakawa
通讯作者：
S. Kako;K. Hoshino;S. Iwamoto;S. Ishida;Y. Arakawa
影响因子：
64.8
作者：
Yoshie, T;Scherer, A;Deppe, DG
通讯作者：
Deppe, DG
影响因子：
4
作者：
Dorenbos, S. N.;Sasakura, H.;Suemune, I.
通讯作者：
Suemune, I.
单 GaN/AlN 量子点中的非常规量子限制斯塔克效应
DOI：
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发表时间：
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期刊：
Physical Review B (印刷中)
影响因子：
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作者：
T.Nakaoka;S.Kako;Y.Arakawa
通讯作者：
Y.Arakawa
影响因子：
4
作者：
Song, HZ;Usuki, T;Sakuma, Y
通讯作者：
Sakuma, Y