Abnormal hardness behavior of Cu-Ta films prepared by magnetron sputtering
Abnormal hardness behavior of Cu-Ta films prepared by magnetron sputtering
复制标题
磁控溅射Cu-Ta薄膜的异常硬度行为
DOI：
10.1016/j.jallcom.2017.03.106
复制
发表时间：
2017-06
影响因子：
6.2
通讯作者：
Zhou Lingping
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Qin Wen;Fu Licai;Xie Tianle;Zhu Jiajun;Yang Wulin;Li Deyi;Zhou Lingping
研究了溅射沉积Cu-Ta薄膜的显微结构、纳米压痕硬度。由于Ta的高硬度，Cu-Ta薄膜的硬度随Ta含量的增加而增加，但在20 at.%范围内有一个平台≤ 60 at.% Ta与非晶结构有关。这一反常行为表明，Cu-Ta薄膜的硬度与非晶结构中的合金元素含量无关。随着Ta含量的增加，非晶组织中原子间距离的增加抵消了Ta对Cu-Ta硬化的诱导作用。因此，这种相反的效果使硬度平台。
The microstructure, nanoindentation hardness of the sputtering deposited Cu-Ta films were investigated. Because of high hardness of Ta, the hardness of Cu-Ta films increases with Ta content, except for a platform in the range of 20 at.% ∼60 at.% Ta that being related to the amorphous structure. This abnormal behavior presents that the hardness of Cu-Ta films is independent of alloy elemental content in the amorphous structure. The Ta addition inducing to Cu-Ta hardening is counteracted by the increase of inter-atomic distance in the amorphous structure with increasing of Ta. So this opposite effect makes the hardness platform.
登录
查看更多内容
影响因子：
5.4
作者：
Ioana-Laura Velicu;V. Tiron;B. Rusu;G. Popa
通讯作者：
Ioana-Laura Velicu;V. Tiron;B. Rusu;G. Popa
影响因子：
9.4
作者：
F.T.N. Vüllers;R. Spolenak
通讯作者：
F.T.N. Vüllers;R. Spolenak
DOI：
--
发表时间：
1989-05
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
F. D. Boer
通讯作者：
F. D. Boer
影响因子：
6.2
作者：
L. Liu;Z. Q. Chu;Y. Dong
通讯作者：
L. Liu;Z. Q. Chu;Y. Dong
影响因子：
2.7
作者：
Chen, X;Vlassak, JJ
通讯作者：
Vlassak, JJ