Microstructure of V-based ohmic contacts to AlGaN/GaN heterostructures at a reduced annealing temperature
Microstructure of V-based ohmic contacts to AlGaN/GaN heterostructures at a reduced annealing temperature
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降低退火温度下 AlGaN/GaN 异质结构的 V 基欧姆接触的微观结构
DOI：
10.1063/1.4907735
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发表时间：
2015
影响因子：
4
通讯作者：
J. Heitmann
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
A. Schmid;Ch. Schröter;R. Otto;M. Schuster;V. Klemm;D. Rafaja;J. Heitmann
影响因子：
1.4
作者：
D. Selvanathan;F. Mohammed;Asrat Tesfayesus;I. Adesida
通讯作者：
D. Selvanathan;F. Mohammed;Asrat Tesfayesus;I. Adesida
AuTiAlTi 和 AuPdAlTi 与 AlGaN/GaN 欧姆接触的 TEM 评估
DOI：
--
发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
--
作者：
M. Fay;I. Harrison;R. Balmer;B. T. Hughes;M. Uren;T. Martin;P. Brown
通讯作者：
P. Brown
DOI：
--
发表时间：
1991
期刊：
影响因子：
--
作者：
J. Haag
通讯作者：
J. Haag