Pt/SrBi2Ta209/HfO2/Si MFIS FETへのSiN層挿入の効果
Pt/SrBi2Ta209/HfO2/Si MFIS FETへのSiN層挿入の効果
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将 SiN 层插入 Pt/SrBi2Ta2O9/HfO2/Si MFIS FET 中的效果
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
酒井 滋樹
中科院分区：
文献类型：
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作者：
堀内 健史;嵩橋 光恵;Shouyu Wang;Qiu-Hong Li;齊藤 丈靖;大橋 憲太郎;酒井 滋樹
钛和钽粘附层对溶胶-凝胶法衍生的 SrBi2Ta2O9 薄膜性能的影响
影响因子：
3.2
作者：
C. Leu;Hung Tao Lin;Chengmin Hu;C. Chien;Ming;Ming;Tiao
通讯作者：
Tiao
SiO2/Si衬底上制备的SrBi2Ta2O9薄膜的记忆性能
影响因子：
4
作者：
S. Xiong;S. Sakai
通讯作者：
S. Sakai
高介电常数 Hf-Sn-Ti-O 薄膜
影响因子：
4
作者：
L. Schneemeyer;R. B. Dover;R. Fleming
通讯作者：
R. Fleming