Graphene mobility enhancement by organosilane interface engineering
Graphene mobility enhancement by organosilane interface engineering
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通过有机硅烷界面工程增强石墨烯迁移率
DOI：
10.1063/1.4804288
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发表时间：
2013-05
影响因子：
4
通讯作者：
Qian, H
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
v, H., Wu, H., Xiao, K., Zhu, W., Xu, H., Zhang,;Qian, H
在这项研究中，用三种不同类型的有机硅烷自组装单层（SAM）修饰的SiO2衬底已被证明有助于石墨烯转移过程。采用有机硅烷界面工程技术制备了底栅石墨烯场效应晶体管并进行了测试。载流子迁移率的提高是由于有机硅烷SAM对杂质电荷和表面极化声子散射的屏蔽作用以及SAM分子与石墨烯的π-π堆积相互作用。特别是，石墨烯在苯基端部有机硅烷SAM上表现出最佳的外源场效应迁移率为2500 cm2 v−1 s−1，是其在SiO2上的3倍。
In this study, SiO2 substrates engineered with three different types of organosilane self-assembled monolayers (SAM) have been proven to assist graphene transfer process. Bottom gate graphene field effect transistors with organosilane interface engineering are fabricated and tested. Improvement of carrier mobility is observed, which is attributed to organosilane SAMs' screening effect to charge impurity and surface polarized phonon scatterings and SAM molecules' π-π stacking interaction with graphene. In particular, graphene on phenyl-terminated organosilane SAM shows the best extrinsic field effect mobility of 2500 cm2 v−1 s−1, three times of its counterpart on SiO2.
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