Infrared photoluminescence of arsenic-doped HgCdTe in a wide temperature range of up to 290 K
Infrared photoluminescence of arsenic-doped HgCdTe in a wide temperature range of up to 290 K
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砷掺杂 HgCdTe 在高达 290 K 的宽温度范围内的红外光致发光
DOI：
10.1063/1.3622588
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发表时间：
2011-08
影响因子：
3.2
通讯作者：
Chu, Junhao
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhang, Xiaohua;Shao, Jun;Chen, Lu;Lue, Xiang;Guo, Shaoling;He, Li;Chu, Junhao
在11.5-290 K温度范围内，对分子束外延制备的掺砷窄禁带碲镉汞外延层进行了红外调制光致发光谱（PL）研究。曲线拟合表明，导带-价带跃迁仅在77 K时可检测到，但在温度高于200 K时将主导PL线形状。在100 K以下，转变主要与杂质有关。浅杂质水平估计为约12，20，17，和26毫电子伏，分别为VHg和砷碲作为受体，砷汞和碲汞作为施主，这是非常相似的理论和/或红外光反射光谱建立。p型退火去除了仅在生长态碲镉汞外延层中观察到的深能级相关的PL特征。与以往的PL研究相比，红外调制PL技术可以作为一个容易获得的途径来表征窄禁带HgCdTe中的杂质时，PL光谱记录与良好的稳定性。
Infrared modulated photoluminescence (PL) spectra are recorded in the temperature range of 11.5-290 K for both as-grown and p-type annealed arsenic-doped narrow-gap HgCdTe epilayers prepared by molecular beam epitaxy. Curve fittings indicate that conduction band-to-valence band transition is just detectable at 77 K but will dominate the PL line shape at temperatures above about 200 K. Below 100 K, transitions are mainly impurity-related. Shallow impurity levels are estimated to be about 12, 20, 17, and 26 meV, respectively, for VHg and AsTe as acceptors, and AsHg and TeHg as donors, which are very similar to those established by theory and/or infrared photoreflectance spectroscopy. The p-type annealing removes deep level-related PL features that are only observed in the as-grown HgCdTe epilayer. Comparison with previous PL study suggests that infrared modulated PL technique can serve as an easily accessible pathway for characterizing impurities in narrow-gap HgCdTe when PL spectra are recorded with good s...
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通过红外光反射光谱研究生长的砷掺杂 HgCdTe 中的杂质水平和带边电子结构
DOI：
10.1103/physrevb.80.155125
发表时间：
2009-10
期刊：
Physical Review B (IF=3.772)
影响因子：
--
作者：
Shaoling Guo;Jianrong Yang;Lu Chen;Yanfeng Wei;Wei Lu;Li He;Xiang Lü;Junhao Chu;Jun Shao
通讯作者：
Jun Shao
背照式红外光致发光和光反射：GaAs 上 HgCdTe 垂直不均匀性的探针
影响因子：
4
作者：
Shao, Jun;Chen, Lu;Lu, Wei;Lue, Xiang;Zhu, Liangqing;Guo, Shaoling;He, Li;Chu, Junhao
通讯作者：
Chu, Junhao
影响因子：
4
作者：
F. Yue;J. Shao;Xiang Lü;Wei Huang;J. Chu;Jun Wu;Xingchao Lin;Li He
通讯作者：
F. Yue;J. Shao;Xiang Lü;Wei Huang;J. Chu;Jun Wu;Xingchao Lin;Li He
影响因子：
3.7
作者：
BERDING, MA;VANSCHILFGAARDE, M;SHER, A
通讯作者：
SHER, A
影响因子：
8.6
作者：
Olego;Faurie;Raccah
通讯作者：
Olego;Faurie;Raccah