Backside-illuminated infrared photoluminescence and photoreflectance: Probe of vertical nonuniformity of HgCdTe on GaAs
Backside-illuminated infrared photoluminescence and photoreflectance: Probe of vertical nonuniformity of HgCdTe on GaAs
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背照式红外光致发光和光反射：GaAs 上 HgCdTe 垂直不均匀性的探针
DOI：
10.1063/1.3373595
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发表时间：
2010-03
影响因子：
4
通讯作者：
Chu, Junhao
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Shao, Jun;Chen, Lu;Lu, Wei;Lue, Xiang;Zhu, Liangqing;Guo, Shaoling;He, Li;Chu, Junhao
HgCdTe外延层的垂直均匀性是红外探测器工程中的一个重要参数。在这项工作中，背照红外光致发光（PL）和光反射（PR）的测量进行了砷掺杂的Hg 1-xCdxTe层
Vertical uniformity of HgCdTe epilayer is a crucial parameter for infrared detector engineering. In this work, backside illuminated infrared photoluminescence (PL) and photoreflectance (PR) measurements are carried out on an arsenic-doped Hg1−xCdxTe layer
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通过红外光反射光谱研究生长的砷掺杂 HgCdTe 中的杂质水平和带边电子结构
DOI：
10.1103/physrevb.80.155125
发表时间：
2009-10
期刊：
Physical Review B (IF=3.772)
影响因子：
--
作者：
Shaoling Guo;Jianrong Yang;Lu Chen;Yanfeng Wei;Wei Lu;Li He;Xiang Lü;Junhao Chu;Jun Shao
通讯作者：
Jun Shao
影响因子：
4
作者：
Yong Chang;C. Grein;S. Sivananthan;M. Flatté;V. Nathan;S. Guha
通讯作者：
Yong Chang;C. Grein;S. Sivananthan;M. Flatté;V. Nathan;S. Guha
影响因子：
3.2
作者：
D. Rosenfeld;V. Garber;G. Bahir
通讯作者：
D. Rosenfeld;V. Garber;G. Bahir
影响因子：
2.1
作者：
Li He;Xiang-liang Fu;Q. Wei;Weiqiang Wang;Lu Chen;Yan Wu;Xiao-ning Hu;Jian-rong Yang;Qinyao Zhang;R. Ding;Xiaoshuang Chen;W. Lu
通讯作者：
Li He;Xiang-liang Fu;Q. Wei;Weiqiang Wang;Lu Chen;Yan Wu;Xiao-ning Hu;Jian-rong Yang;Qinyao Zhang;R. Ding;Xiaoshuang Chen;W. Lu
影响因子：
8.6
作者：
Fuchs;Schneider;Koidl;Schwarz;Walcher;Triboulet
通讯作者：
Fuchs;Schneider;Koidl;Schwarz;Walcher;Triboulet