Photoluminescence properties of implanted Praseodymium into Gallium Nitride at elevated temperatures
Photoluminescence properties of implanted Praseodymium into Gallium Nitride at elevated temperatures
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高温下将镨注入氮化镓的光致发光特性
DOI：
10.1016/j.nimb.2020.06.007
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Ohshima Takeshi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Sato Shin-ichiro;Deki Manato;Nishimura Tomoaki;Okada Hiroshi;Watanabe Hirotaka;Nitta Shugo;Honda Yoshio;Amano Hiroshi;Ohshima Takeshi
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