Changes of the particle detection properties of irradiated silicon microstrip sensors after room temperature annealing
Changes of the particle detection properties of irradiated silicon microstrip sensors after room temperature annealing
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室温退火后辐照硅微带传感器粒子检测特性的变化
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Casse, G.,Affolder, A.,Allport, P.P.,Chmill, V.,Forshaw, D.,Greenall, A.,Tsurin, I.,Huse, T.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Casse, G.,Affolder, A.,Allport, P.P.,Chmill, V.,Forshaw, D.,Greenall, A.,Tsurin, I.,Huse, T.
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高剂量质子辐照后加速退火对 p 型硅微带探测器的影响
DOI：
10.1016/j.nima.2006.05.200
发表时间：
2006
影响因子：
1.4
作者：
G. Casse;P. Allport;A. Watson
通讯作者：
A. Watson
高中子注量辐照下的 n+–p 条带探测器的退火效应☆
DOI：
10.1016/j.nima.2010.11.057
发表时间：
2011
影响因子：
1.4
作者：
I. Mandić;V. Cindro;G. Kramberger;M. Mikuž
通讯作者：
M. Mikuž
不同厚度的分段硅探测器在质子辐照至 1×1016 neq cm2 后效率提高
DOI：
10.1016/j.nima.2010.02.134
发表时间：
2010
影响因子：
1.4
作者：
G. Casse;A. Affolder;P. Allport;H. Brown;M. Wormald
通讯作者：
M. Wormald
使用辐照 3D 硅条探测器进行测量
DOI：
10.1016/j.nuclphysbps.2011.04.021
发表时间：
2011
期刊：
Nuclear Physics B - Proceedings Supplements
影响因子：
--
作者：
Köhler M
通讯作者：
Köhler M
DOI：
10.22323/1.113.0025
发表时间：
2011
影响因子：
1.4
作者：
J. Lange;J. Becker;E. Fretwurst;R. Klanner;G. Kramberger;G. Lindström;I. Mandić
通讯作者：
I. Mandić