Short range atomic migration in amorphous silicon
Short range atomic migration in amorphous silicon
复制标题
非晶硅中的短程原子迁移
DOI：
10.1063/1.4948333
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发表时间：
2016
影响因子：
3.2
通讯作者：
H. Schmidt
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
F. Strauß;B. Jerliu;T. Geue;J. Stahn;H. Schmidt
Experiments on self-diffusion in amorphous silicon between 400 and 500 °C are presented, which were carried out by neutron reflectometry in combination with {sup 29}Si/{sup nat}Si isotope multilayers. Short range diffusion is detected on a length scale of about 2 nm, while long range diffusion is absent. Diffusivities are in the order of 10{sup −19}–10{sup −20} m{sup 2}/s and decrease with increasing annealing time, reaching an undetectable low value for long annealing times. This behavior is strongly correlated to structural relaxation and can be explained as a result of point defect annihilation. Diffusivities for short annealing times of 60 s follow the Arrhenius law with an activation enthalpy of (0.74 ± 0.21) eV, which is interpreted as the activation enthalpy of Si migration.
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