Study on growth and characterization of ScAlMgO4 substrate crystal
Study on growth and characterization of ScAlMgO4 substrate crystal
复制标题
ScAlMgO4基体晶体的生长及表征研究
DOI：
10.1016/j.jallcom.2008.04.036
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发表时间：
2009-03
影响因子：
6.2
通讯作者：
Dong, Yongjun
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Lin, Hui;Wu, Feng;Tang, Huili;Xu, Jun;Dong, Yongjun
Lattice-matched ScAlMgO4substrate crystal for GaN and ZnO epitaxy has been grown by the Czochralski method. Polarizing microscopy observation and transmission spectrum indicate that the as-grown crystal is of good crystallization quality. The full width at half maximum (FWHM) value is 42.64arcs. The absorption peak centered at 196nm is caused by electronic transition from valence band to conduction band. Based on the investigations of sub-grain boundaries and cracking, the methods for reducing them are proposed.
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影响因子：
41.2
作者：
Tsukazaki, A;Ohtomo, A;Kawasaki, M
通讯作者：
Kawasaki, M
影响因子：
3.3
作者：
N. Kimizuka;T. Mohri
通讯作者：
N. Kimizuka;T. Mohri
影响因子：
4
作者：
A. Ohtomo;K. Tamura;K. Saikusa;Kosuke Takahashi;T. Makino;Y. Segawa;H. Koinuma;M. Kawasaki
通讯作者：
A. Ohtomo;K. Tamura;K. Saikusa;Kosuke Takahashi;T. Makino;Y. Segawa;H. Koinuma;M. Kawasaki
DOI：
10.1557/s1092578300001733
发表时间：
1996-11
期刊：
Mrs Internet Journal of Nitride Semiconductor Research
影响因子：
--
作者：
E. Hellman;C. Brandle;L. Schneemeyer;D. Wiesmann;I. Brener;T. Siegrist;G. Berkstresser;D. Buchanan;E. Hartford
通讯作者：
E. Hellman;C. Brandle;L. Schneemeyer;D. Wiesmann;I. Brener;T. Siegrist;G. Berkstresser;D. Buchanan;E. Hartford
影响因子：
4
作者：
P. Kung;A. Saxler;X. Zhang;D. Walker;R. Lavado;M. Razeghi
通讯作者：
P. Kung;A. Saxler;X. Zhang;D. Walker;R. Lavado;M. Razeghi