Layer-thickness dependence in tunneling magnetoresistance and current-driven magnetization'reversal G_aM_nA_s-based double-barrier structures

Layer-thickness dependence in tunneling magnetoresistance and current-driven magnetization'reversal G_aM_nA_s-based double-barrier structures
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基于隧道磁阻和电流驱动磁化反转G_aM_nA_s的双势垒结构的层厚依赖性

DOI:
--
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发表时间:
2007
期刊:
Physica E 40
影响因子:
--
通讯作者:
J. Okabayashi. et. al
J. Okabayashi. et. al
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:
M. Watanabe;J. Okabayashi. et. al

文献摘要

参考文献

被引文献

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