Photoluminescence Properties of InAs Quantum Dots on Nitrogen δ-Doped GaAs
Photoluminescence Properties of InAs Quantum Dots on Nitrogen δ-Doped GaAs
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氮δ掺杂GaAs上InAs量子点的光致发光特性
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and T. Kita
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Kaizu;and T. Kita
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柱状 InAs/GaAs 自组装量子点的偏振无关光致发光
DOI：
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发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
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作者：
T. Kita;O. Wada;H. Ebe;Y. Nakata;M. Sugawara
通讯作者：
M. Sugawara
影响因子：
2.1
作者：
Heitz, R;Mukhametzhanov, I;Bimberg, D
通讯作者：
Bimberg, D
GaAs 盖层生长过程中 InAs 量子点的尺寸排序效应
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
Int.Phys.Conf.Ser. No.170,Chap.7
影响因子：
--
作者：
Y.Saito et al.
通讯作者：
Y.Saito et al.
影响因子：
3.2
作者：
T. Kaizu;T. Matsumura;T. Kita
通讯作者：
T. Kaizu;T. Matsumura;T. Kita
影响因子：
4
作者：
ARAKAWA, Y;SAKAKI, H
通讯作者：
SAKAKI, H