A carrier-based analytic DCIV model for long channel undoped cylindrical surrounding-gate MOSFETs
A carrier-based analytic DCIV model for long channel undoped cylindrical surrounding-gate MOSFETs
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基于载流子的长沟道非掺杂圆柱形围栅 MOSFET 解析 DCIV 模型
DOI：
10.1016/j.sse.2006.01.015
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发表时间：
2006-03
影响因子：
1.7
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
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影响因子：
4.9
作者：
S. Oh;D. Monroe;J. Hergenrother
通讯作者：
S. Oh;D. Monroe;J. Hergenrother
影响因子：
4.4
作者：
P. Chambré
通讯作者：
P. Chambré
影响因子：
4.9
作者：
Jong Tae Park;J. Colinge;Carlos H. Díaz
通讯作者：
Jong Tae Park;J. Colinge;Carlos H. Díaz
DOI：
--
发表时间：
1987
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
Y. Tsividis
通讯作者：
Y. Tsividis
影响因子：
0.5
作者：
T. Endoh;Tairiku Nakamura;F. Masuoka
通讯作者：
T. Endoh;Tairiku Nakamura;F. Masuoka