Epitaxial Insulator for Bottom-gate Field-Effect Devices basd on Oxides
Epitaxial Insulator for Bottom-gate Field-Effect Devices basd on Oxides
复制标题
基于氧化物的底栅场效应器件的外延绝缘体
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Masao Katayama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Masao Katayama;Shinya IkesEika;Jun Kuwano;Hideomi Koinuma;Yuji Matsumoto;M. Katayama;M. Katayama;Masao Katayama
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影响因子：
56.9
作者：
Nomura, K;Ohta, H;Hosono, H
通讯作者：
Hosono, H
影响因子：
4
作者：
K. Shibuya;T. Ohnishi;T. Uozumi;Taisuke Sato;M. Lippmaa;M. Kawasaki;K. Nakajima;T. Chikyow;H. Koinuma
通讯作者：
K. Shibuya;T. Ohnishi;T. Uozumi;Taisuke Sato;M. Lippmaa;M. Kawasaki;K. Nakajima;T. Chikyow;H. Koinuma
晶格匹配 ZnO/ScAlMeO4 异质界面处累积电子的霍尔迁移率和场效应迁移率
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
Advanced Materials 16
影响因子：
--
作者：
杉原 真;et. al.;T.I.Suzuki
通讯作者：
T.I.Suzuki
影响因子：
64.8
作者：
Takahashi, KS;Gabay, M;Triscone, JM
通讯作者：
Triscone, JM
影响因子：
4
作者：
Kang, Donghun;Lim, Hyuck;Chung, JaeGwan
通讯作者：
Chung, JaeGwan