Growth of Bulk GaN from Gas Phase
Growth of Bulk GaN from Gas Phase
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气相生长块状 GaN
DOI：
10.1002/crat.201700224
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发表时间：
2018
影响因子：
1.5
通讯作者：
R. Zwierz
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
D. Siche;R. Zwierz
综述了气相生长法氮化镓体生长的研究现状，并将其归纳为具有体生长潜力的几种方法。以氯为输送剂的氢化物气相外延（HVPE）技术是目前最发达和商业化的外延技术。然而，它不能产生真正的大块氮化镓，受到完美限制的异质外延，方向依赖的生长速率，寄生生长和副产物的形成，后者都限制了过程的持续时间。因此，本文将考虑其他方法。替代运输剂是明显的，如碘、氢、氧、水和伪卤化物CN -离子，它们不能显示出大块生长的潜力。这些大多不太成功的方法，有时被重复，因为没有充分发表。
The present status of the GaN bulk growth by vapor growth methods is reviewed and is shortly classified into all methods with bulk growth potential. The hydride vapor phase epitaxy (HVPE) as the most developed and already commercialized method using chlorine as transport agent was frequently reviewed before. However, it does not yield true bulk GaN, suffers from perfection limiting heteroepitaxy, direction depending growth rate, parasitic growth and by‐product formation, the latter both limiting the process duration. Therefore, in this review other methods are considered. Alternative transport agents are pronounced, like iodine, hydrogen, oxygen, water and the pseudo halide CN−‐ ion, which are not able to reveal potential for bulk growth. These mostly less successful approaches, are sometimes repeated, because not adequately published.
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发表时间：
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通讯作者：
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