Electrical Characteristics of Epitaxial γ-Al2O3 Films for Quantum Device
Electrical Characteristics of Epitaxial γ-Al2O3 Films for Quantum Device
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量子器件用外延γ-Al2O3薄膜的电学特性
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Mohammad Shahjahan
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Jang-Seop Kim;Kazuaki Sawada;Makoto Ishida;Mohammad Shahjahan
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γ-Al2O3/Si多重异质结构制作谐振隧道二极管
影响因子：
1.5
作者：
M. Shahjahan;Y. Koji;K. Sawada;M. Ishida
通讯作者：
M. Ishida
退火对硅基超薄结晶γ-Al2O3高k电介质物理和电性能的影响
影响因子：
1.5
作者：
M. Shahjahan;T. Okada;K. Sawada;M. Ishida
通讯作者：
M. Ishida
DOI：
10.1143/jjap.38.2333
发表时间：
1999-04-01
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS
影响因子：
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作者：
Jung, YC;Miura, H;Ishida, M
通讯作者：
Ishida, M
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影响因子：
1.5
作者：
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通讯作者：
M. Ishida