All-inkjet-printed high-performance flexible MoS2 and MoS2-reduced graphene oxide field-effect transistors
All-inkjet-printed high-performance flexible MoS2 and MoS2-reduced graphene oxide field-effect transistors
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全喷墨印刷高性能柔性MoS2和MoS2还原氧化石墨烯场效应晶体管
DOI：
10.1007/s10853-020-04891-1
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发表时间：
2020-06
影响因子：
4.5
通讯作者：
Zhe-Sheng Feng
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhi Jiang;Kuan Xiao;Jin-Ju Chen;Yan Wang;Zhao-Quan Xu;Enrico Sowade;Reinhard R. Baumann;Evgeniya Sheremet;Raul D. Rodriguez;Zhe-Sheng Feng
二维(2D)材料已被用于设计具有良好性能的柔性场效应晶体管(FET)。然而，灵活的FET仍然面临着开关性能差和驱动电流超低的挑战。本文提出了一种以2D材料有源沟道和PI薄膜为栅电介质的喷墨印制场效应管的简单、可重复的大面积集成工艺。本文报道的MoS2-RGO FET具有n型沟道特性，平均亚阈值摆幅为75 mV/dec，导通/关态电流比为104A，在3.0V的电源电压下，导通电流高达10μA。此外，通过喷墨打印技术，MoS2-RGO FET还具有良好的电学性能的n型半导体特性。
Two-dimensional (2D) materials have been utilized to design flexible field-effect transistors (FETs) with promising performance. However, flexible FETs still face challenges with poor switching features and ultra-low drive current. In this paper, a facile and repeatable large-area integration process is presented for inkjet-printed FETs with 2D materials active channels and PI films as gate dielectrics. The MoS2 FETs reported here exhibit n-type channel feature with an outstanding average subthreshold swing of 75 mV/dec, an on-state/off-state current ratio of 104, and on-state current up to 10 μA at a power supply voltage of 3.0 V. Besides, MoS2–rGO FETs also exhibit n-type semiconductor features with good electrical properties by the inkjet-printing technology.
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