Deep brain stimulation and electromagnetic interference.
Deep brain stimulation and electromagnetic interference.
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DOI：
10.1016/j.clineuro.2021.106577
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发表时间：
2021-04
影响因子：
1.9
通讯作者：
Turner DA
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Rahimpour S;Kiyani M;Hodges SE;Turner DA
脑深部电刺激（DBS）已发展成为一种经批准的有效治疗药物治疗难治性运动、强迫症和癫痫疾病的方法，目前正在研究其他疾病。然而，存在意外和故意的外部电磁干扰（EMI）源，可能导致DBS器械故障或损坏，以及对人体组织的损伤。在医学文献中，关于这些主题的综合研究和指南很少。在此，我们回顾了EMI背后的原理，以及各种潜在的干扰源，包括无意的（例如杂散EMI场）和有意的（例如MRI扫描，“脑损伤”）。此外，我们使用制造商与用户设备机构体验（MAUDE）数据库来评估EMI的真实情况（例如，机场身体扫描仪、磁共振成像（MRI）和电外科手术），影响美国（US）通常植入的DBS器械。
Deep brain stimulation (DBS) has evolved into an approved and efficacious treatment for movement, obsessive-compulsive, and epilepsy disorders that are refractory to medical therapy, with current investigation into other disease conditions. However, there are unintentional and intentional sources of external electromagnetic interference (EMI) that can lead to either malfunctioning or damaged DBS devices, as well as injury to human tissue. Comprehensive studies and guidelines on such topics in the medical literature are scarce. Herein, we review the principles behind EMI, as well as the various potential sources of interference, both unintentional (e.g. stray EMI fields) and intentional (e.g. MRI scans, “brainjacking”). Additionally, we employ the Manufacturer and User Device Facility Experience (MAUDE) database to assess real-world instances of EMI (e.g., airport body scanners, magnetic resonance imaging (MRI), and electrosurgery) affecting DBS devices commonly implanted in the United States (US).
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