Deformation and improvement of IR transmission of single-crystal silicon by direct current heating
Deformation and improvement of IR transmission of single-crystal silicon by direct current heating
复制标题
直流加热单晶硅的变形及红外透过率的改善
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Hachinohe
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Miura;Y. Shimotsuma;M. Sakakura;S. Gunji; T. Sakamoto;K. Morishita;S. Hachinohe
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DOI：
10.1002/pssa.2210500126
发表时间：
1978
期刊：
November 16
影响因子：
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作者：
K. H. Yang;H. Kappert;G. Schwuttke
通讯作者：
G. Schwuttke
直拉硅中生长缺陷分布对生长速率的依赖性
影响因子：
1.5
作者：
S. Sadamitsu;S. Umeno;Y. Koike;M. Hourai;Shigeo Sumita Shigeo Sumita;Tatsuhiko Shigematsu Tatsuhiko Shigematsu
通讯作者：
Tatsuhiko Shigematsu Tatsuhiko Shigematsu
直拉硅中氧化物沉淀的生长动力学
影响因子：
1.8
作者：
K. Wada;N. Inoue
通讯作者：
N. Inoue
硅、锗晶体中间隙氧扩散的一般模型
DOI：
10.1557/proc-864-e9.20
发表时间：
2005
期刊：
MRS Proceedings
影响因子：
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作者：
V. Gusakov
通讯作者：
V. Gusakov
DOI：
10.1002/pssa.2210560123
发表时间：
1979
期刊：
Physica Status Solidi (a)
影响因子：
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作者：
K. Tempelhoff;F. Spiegelberg;R. Gleichmann;D. Wruck
通讯作者：
D. Wruck