Control of threading dislocations by strain engineering in GaInP buffers grown on GaAs substrates
Control of threading dislocations by strain engineering in GaInP buffers grown on GaAs substrates
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在 GaAs 衬底上生长的 GaInP 缓冲器中通过应变工程控制螺纹位错
DOI：
10.1016/j.tsf.2015.08.039
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发表时间：
2015-10
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
C.Y. Zhao
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
K.L.Li;Y.R. Sun;J.R. Dong;Y. He;X.L.Zeng;Y.M.Zhao;S.Z. Yu;C.Y. Zhao
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影响因子：
4
作者：
B. Yarlagadda;Ángel Rodríguez;P. Li;Ravi Shankar R. Velampati;J. F. Ocampo;E. Suarez;P. Rago;D. Shah;J. Ayers;F. Jain
通讯作者：
B. Yarlagadda;Ángel Rodríguez;P. Li;Ravi Shankar R. Velampati;J. F. Ocampo;E. Suarez;P. Rago;D. Shah;J. Ayers;F. Jain
影响因子：
4
作者：
L. Wong;J. P. Liu;F. Romanato;C. Wong;Y. Foo
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作者：
R. Beanland;M. Aindow;T. Joyce;P. Kidd;M. Lourenço;P. Goodhew
通讯作者：
R. Beanland;M. Aindow;T. Joyce;P. Kidd;M. Lourenço;P. Goodhew
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作者：
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通讯作者：
Kondo, Y.
影响因子：
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作者：
Li Kuilong;Yao-yao Sun;J. Dong;Y. M. Zhao;S. Z. Yu;C. Zhao;Zeng Xulu;Hui Yang
通讯作者：
Li Kuilong;Yao-yao Sun;J. Dong;Y. M. Zhao;S. Z. Yu;C. Zhao;Zeng Xulu;Hui Yang