Diffusion model of gallium in single-crystal ZnO proposed from analysis of concentration-dependent profiles based on the Fermi-level effect
Diffusion model of gallium in single-crystal ZnO proposed from analysis of concentration-dependent profiles based on the Fermi-level effect
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基于费米能级效应的浓度依赖性分布分析提出的单晶 ZnO 中镓的扩散模型
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y.Ikuhara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Nakagawa;I.Sakaguchi;M.Uematsu;Y.Sato;N.Ohashi;H.Haneda;Y.Ikuhara
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使用两种不同的 Zn 和 Ga 前驱体化学喷涂制备 ZnO:Ga 薄膜的特性
DOI：
10.1002/pssa.200305960
发表时间：
2003
期刊：
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影响因子：
--
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M. Olvera;A. Maldonado
通讯作者：
A. Maldonado
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FAIR, RB
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