4H-SiC double-layer thin n-base light triggered thyristor with a trenched-junction isolated amplifying gate
4H-SiC double-layer thin n-base light triggered thyristor with a trenched-junction isolated amplifying gate
复制标题
4H-SiC 双层薄型 n 基极光触发晶闸管，带沟槽结隔离放大栅极
DOI：
10.1016/j.spmi.2018.09.004
复制
发表时间：
2018-10
影响因子：
3.1
通讯作者：
Liqi An
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Xi Wang;Hongbin Pu;Qing Liu;Liqi An
登录
查看更多内容
影响因子：
3.1
作者：
J. Hasegawa;Loris Pace;L. Phung;M. Hatano;D. Planson
通讯作者：
J. Hasegawa;Loris Pace;L. Phung;M. Hatano;D. Planson
影响因子：
1.9
作者：
M. Levinshtein;T. T. Mnatsakanov-T.;A. Agarwal;J. Palmour
通讯作者：
M. Levinshtein;T. T. Mnatsakanov-T.;A. Agarwal;J. Palmour
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.433-436.851
发表时间：
2002-06
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
M. Levinshtein;P. Ivanov;A. Agarwal;J. Palmour
通讯作者：
M. Levinshtein;P. Ivanov;A. Agarwal;J. Palmour
影响因子：
6.7
作者：
Xiaoqing Song;A. Huang;Meng-Chia Lee;Chang Peng
通讯作者：
Xiaoqing Song;A. Huang;Meng-Chia Lee;Chang Peng
双层薄n基极注入调制4H-SiC光触发晶闸管中的p( )-n发射结
影响因子：
1.7
作者：
Wang Xi;Pu Hongbin;Liu Qing;Chen Chunlan;Chen Zhiming
通讯作者：
Chen Zhiming