Studies of hot photoluminescence in plasmonically coupled silicon via variable energy excitation and temperature-dependent spectroscopy.
Studies of hot photoluminescence in plasmonically coupled silicon via variable energy excitation and temperature-dependent spectroscopy.
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DOI：
10.1021/nl502606q
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发表时间：
2014-09-10
期刊：
影响因子：
10.8
通讯作者：
Agarwal R
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Aspetti CO;Cho CH;Agarwal R;Agarwal R
通过将硅纳米线（直径约150 nm，长度约20 μm）与Ω型等离子体纳米腔相结合，我们能够产生宽带可见光发光，这是由纳米腔-表面等离子体的高阶混合模式引起的。这种超级带隙发射的性质进行了探讨，通过光致发光光谱研究与可变的激光激发能量（1.959至2.708 eV）和有限差分时域模拟。此外，依赖于温度的光致发光光谱表明，所观察到的发射对应于非热化（热）载流子的辐射复合，而不是共振拉曼过程。
By integrating silicon nanowires (∼150 nm diameter, 20 μm length) with an Ω-shaped plasmonic nanocavity, we are able to generate broadband visible luminescence, which is induced by high order hybrid nanocavity-surface plasmon modes. The nature of this super bandgap emission is explored via photoluminescence spectroscopy studies performed with variable laser excitation energies (1.959 to 2.708 eV) and finite difference time domain simulations. Furthermore, temperature-dependent photoluminescence spectroscopy shows that the observed emission corresponds to radiative recombination of unthermalized (hot) carriers as opposed to a resonant Raman process.
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