Factors affecting the top stripping of GaAs microwire array fabricated by inductively coupled plasma etching
Factors affecting the top stripping of GaAs microwire array fabricated by inductively coupled plasma etching
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电感耦合等离子体刻蚀GaAs微线阵列顶部剥离的影响因素
DOI：
10.1088/0256-307x/32/5/058102
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发表时间：
2015-06
影响因子：
3.5
通讯作者：
ZHU Zhi-Fu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
PENG Xin-Cun;FENG Lin;DENG Wen-Juan;ZHU Zhi-Fu
研究了不同掩模和图形对电感耦合等离子体刻蚀20 min和40 min GaAs微丝阵列顶部剥离的影响。结果表明，掩模层是影响40 min内GaAs微线顶部剥离的主要因素，增加掩模层和减少光刻胶层可以防止顶部剥离，从而得到合适的GaAs微线阵列。
The effects of different masks and patterns on the top stripping of GaAs microwire arrays fabricated by inductively coupled plasma etching for 20 min and 40 min are investigated. The results show that the mask layer is the main affect of the top stripping of the GaAs microwires in 40 min. Increasing the mask layers and reducing the photoresist layers can prevent top stripping and result in a suitable GaAs microwire array.
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影响因子：
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P. Paiano;P. Prete;N. Lovergine;A. Mancini
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Heng Yu;W. E. Buhro
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