Field-effect transistors based on two-dimensional materials for logic applications
Field-effect transistors based on two-dimensional materials for logic applications
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用于逻辑应用的基于二维材料的场效应晶体管
DOI：
10.1088/1674-1056/22/9/098505
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发表时间：
2013-09
影响因子：
1.7
通讯作者：
Zhang Rong
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wang Xin-Ran;Shi Yi;Zhang Rong
本文讨论了基于石墨烯和MoS2这两种具有代表性的二维材料的场效应晶体管（fet）。这些材料具有截然不同的特性，需要不同的考虑。石墨烯独特的能带结构需要对狄拉克点进行工程设计，包括打开带隙、掺杂和界面，然后才能用于逻辑应用。另一方面，二硫化钼是一种半导体，它的电子传输很大程度上取决于表面性质、层数和载流子密度。最后，对二维材料晶体管的未来发展进行了展望。
Field-effect transistors (FETs) for logic applications, based on two representative two-dimensional (2D) materials, graphene and MoS2, are discussed. These materials have drastically different properties and require different considerations. The unique band structure of graphene necessitates engineering of the Dirac point, including the opening of the bandgap, the doping and the interface, before the graphene can be used in logic applications. On the other hand, MoS2 is a semiconductor, and its electron transport depends heavily on the surface properties, the number of layers, and the carrier density. Finally, we discuss the prospects for the future developments in 2D material transistors.
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