Inclusion of nanometer-sized silicon crystallites in n-layer for open circuit voltage enhancement in amorphous silicon solar cell
Inclusion of nanometer-sized silicon crystallites in n-layer for open circuit voltage enhancement in amorphous silicon solar cell
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在n层中包含纳米尺寸的硅微晶以增强非晶硅太阳能电池的开路电压
DOI：
10.1016/j.solmat.2014.04.021
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发表时间：
2014-09
影响因子：
6.9
通讯作者：
Ying Zhao
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Jia Fang;Changchun Wei;Xiaodan Zhang;Ying Zhao
研究了氢化硅n层的材料特性及其对非晶硅太阳电池性能的影响。通过优化沉积工艺参数，可以得到具有高电导率、低激活能和宽带隙的纳米Si微晶镶嵌在a-Si：H基体中的混合相层。将混合相层叠层到a-Si：H电池中可以显著提高开路电压（Voc），最高可达0.95V，比a-Si：H层或微晶硅层的电池分别高约50 mV和100 mV。本文还讨论了混合相层对Voc增强的可能解释。到目前为止，在衬底温度高达220 °C、a-Si：Hi层厚度为300 nm的条件下，获得了9.4%的初始效率，最高Vc0.945 V，FF0.70，Jsc14.2 mA/cm 2。
Material properties of hydrogenated siliconn-layer and their impact on amorphous silicon (a-Si:H) solar cell are studied. By optimizing deposition parameters, mixed-phasen-layer with nanometer-sized Si crystallites embedded in a-Si:H matrix can be obtained, which demonstrates higher conductivity, lower activation energy and wider bandgap. Incorporating the mixed-phasen-layer into a-Si:H cell can significantly improve the open circuit voltage (Voc) up to 0.95 V, which is approximately 50 mV or 100 mV higher than those cells with a-Si:Hn-layer or microcrystalline siliconn-layer, respectively. The possible explanations ofVocenhancement brought by the mixed-phasen-layer have also been discussed. Up to now, we have achieved an initial efficiency of 9.4% with highVocof 0.945 V,FFof 0.70 andJscof 14.2 mA/cm2with a-Si:Hi-layer thickness of 300 nm and substrate temperature as high as 220 °C.
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影响因子：
4
作者：
Joshua M. Pearce;R. Koval;A. Ferlauto;R. Collins;C. Wronski;Jeffrey Yang;S. Guha
通讯作者：
Joshua M. Pearce;R. Koval;A. Ferlauto;R. Collins;C. Wronski;Jeffrey Yang;S. Guha
影响因子：
0.9
作者：
B. Sain;D. Das
通讯作者：
B. Sain;D. Das
影响因子：
4
作者：
B. Yan;Jeffrey Yang;S. Guha
通讯作者：
B. Yan;Jeffrey Yang;S. Guha
DOI：
10.1002/pip.1220
发表时间：
2012-09
期刊：
Progress in Photovoltaics: Research and Applications
影响因子：
--
作者：
F. Haug;R. Biron;G. Kratzer;F. Leresche;J. Besuchet;C. Ballif;M. Dissel;S. Kretschmer;W. Soppe;P. Lippens;K. Leitner
通讯作者：
F. Haug;R. Biron;G. Kratzer;F. Leresche;J. Besuchet;C. Ballif;M. Dissel;S. Kretschmer;W. Soppe;P. Lippens;K. Leitner
DOI：
10.1109/pvsc.2010.5615931
发表时间：
2010-06
期刊：
2010 35th IEEE Photovoltaic Specialists Conference
影响因子：
--
作者：
Ihsanul Afdi Yunaz;S. Miyajima;M. Konagai
通讯作者：
Ihsanul Afdi Yunaz;S. Miyajima;M. Konagai