The morphology evolution of selective area wet etched commercial patterned sapphire substrates
The morphology evolution of selective area wet etched commercial patterned sapphire substrates
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选择性区域湿法蚀刻商用图案化蓝宝石衬底的形貌演变
DOI：
10.1088/1361-6439/aafd9f
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发表时间：
2019-01
影响因子：
2.3
通讯作者：
Bi Wengang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Sun Ce;Zhang Yong Hui;Zheng Yu Xin;Chu Chun Shuang;Tian Kang Kai;Fan Chao;Zhang Zi hui;Bi Wengang
图案化蓝宝石衬底（PSS）被广泛用于提高发光二极管（LED）的光输出功率，其形貌和形状对LED的性能有很大影响。在这项工作中，商业PSS的再加工利用选择性区域湿法刻蚀的方法，其中选择性区域的二氧化硅掩模是通过部分曝光光刻，而不是传统的覆盖光刻制造。通过精确控制曝光时间，可以控制蚀刻工艺仅在PSS顶部发生。选择性区域蚀刻的PSS可以获得包括金字塔、火山、三叶草和封闭包装的倒金字塔的各种表面形貌。蓝宝石选区刻蚀的机理与图形表面和SiO2掩模图形的倾斜角度有关。
Patterned sapphire substrates (PSS) have been widely used to enhance the light output power of light emitting diodes (LEDs).The morphology and shape of the PSS have a great influence on the performance of the LEDs. In this work, commercial PSS is reprocessed utilizing selective-area wet etching approach, in which selective-area SiO2 mask is fabricated through partial exposure lithography instead of conventional overlay lithography. By precisely controlling the exposure time, the etching process can be controlled to take place only on the top of the PSS. Various surface morphology including pyramid, volcano, clover and closed-packaged inverted pyramid can be attained from the evolution of the selective-area etched PSS. The mechanism of the selective-area etched sapphire is correlated to the slant angle of the pattern surface and the SiO2 mask pattern.
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C. Kuo;Lung-Hsing Hsu;Bo-Hsin Huang;H. Kuo;C. Lin;Yuh-Jen Cheng
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通讯作者：
R. G. Vardiman
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