Resolving exciton diffusion in InGaAs quantum wells using micro-photoluminescence mapping with a lateral excitation
Resolving exciton diffusion in InGaAs quantum wells using micro-photoluminescence mapping with a lateral excitation
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使用横向激发的微光致发光映射解决 InGaAs 量子阱中的激子扩散问题
DOI：
10.1088/0268-1242/28/12/125004
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发表时间：
2013-12
影响因子：
1.9
通讯作者：
Xu, Xiulai
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Tang, Jing;Xu, Zheng;Jin, Kuijuan;Xu, Xiulai
我们报告了 InGaAs 量子阱的空间分辨光致发光图。使用水平或垂直泵浦的氦氖激光器在量子阱顶部收集光致发光。在水平配置中，在 68 K 温度下，光谱线宽从 2.8 meV 变窄至 2.2 meV，峰值从 1.4425 eV 移动至 1.4415 eV，而在 3.8 K 时未观察到这些变化。这表明，当载流子被热激活时，光生载流子可以从激光点扩散并弛豫到较低能态。垂直配置中的光谱变窄是无法观察到的，这是由于发射的光总是从泵浦激光器的同一点收集而没有扩散。
We report a spatially resolved photoluminescence mapping of InGaAs quantum wells. The photoluminescence was collected on top of the quantum well, with a HeNe laser pumping horizontally or vertically. In the horizontal configuration, at temperature of 68 K, the spectral linewidth narrows from 2.8 to 2.2 meV with the peak shifting from 1.4425 to 1.4415 eV, while at 3.8 K these changes were not observed. This demonstrates that photo-generated carriers can diffuse away from the laser spot and relax to the lower energy states in the case when the charge carriers are thermally activated. The spectra narrowing in the vertical configuration, which could not be observed, is due to the fact that the emitted light was always collected from the same spot of the pumping laser without diffusion.
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--
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通讯作者：
MARTELLI, F
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Ge Yang;A. Bolotnikov;Yonggang Cui;G. Camarda;A. Hossain;K. Kim;R. Gul;R. James
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Ge Yang;A. Bolotnikov;Yonggang Cui;G. Camarda;A. Hossain;K. Kim;R. Gul;R. James
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G. Schinner;E. Schubert;M. Stallhofer;J. Kotthaus;D. Schuh;A. Rai;D. Reuter;A. Wieck;A. Govorov
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