InGaAs Quantum Well Grown on High-Index Surfaces for Superluminescent Diode Applications.
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DOI：
10.1007/s11671-010-9605-2
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发表时间：
2010-04-22
影响因子：
--
通讯作者：
Salamo, Gregory J.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Li, Zhenhua;Wu, Jiang;Wang, Zhiming M.;Fan, Dongsheng;Guo, Aqiang;Li, Shibing;Yu, Shui-Qing;Manasreh, Omar;Salamo, Gregory J.
研究了生长在不同衬底上的In_（0.2）Ga_（0.8）As/GaAs量子威尔斯阱的形貌和光学性质，并探讨了其在超辐射发光二极管中的应用。采用分子束外延技术在GaAs（100）、（210）、（311）和（731）衬底上生长了In 0.2Ga 0.8As/GaAs量子威尔斯阱。室温下，生长在（210）衬底上的样品获得了宽的光致发光发射峰（~950 nm），半高宽（FWHM）为48 nm，比同时生长在（100）衬底上的量子阱宽4倍多。另一方面，从生长在（311）上的样品观察到非常窄的光致发光光谱，其半高宽（FWHM）= 7.8nm。在这篇文章中提出的结果表明，高指数GaAs衬底的超辐射发光二极管应用的潜力。
The morphological and optical properties of In0.2Ga0.8As/GaAs quantum wells grown on various substrates are investigated for possible application to superluminescent diodes. The In0.2Ga0.8As/GaAs quantum wells are grown by molecular beam epitaxy on GaAs (100), (210), (311), and (731) substrates. A broad photoluminescence emission peak (~950 nm) with a full width at half maximum (FWHM) of 48 nm is obtained from the sample grown on (210) substrate at room temperature, which is over four times wider than the quantum well simultaneously grown on (100) substrate. On the other hand, a very narrow photoluminescence spectrum is observed from the sample grown on (311) with FWHM = 7.8 nm. The results presented in this article demonstrate the potential of high-index GaAs substrates for superluminescent diode applications.
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