A Variability-Aware Energy-Efficient On-Chip Memory for Near-Threshold Operation using Cell-Based Structure
A Variability-Aware Energy-Efficient On-Chip Memory for Near-Threshold Operation using Cell-Based Structure
复制标题
使用基于单元的结构实现近阈值操作的可变性感知节能片上存储器
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Hidetoshi Onodera
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Jun Shiomi;Tohru Ishihara;Hidetoshi Onodera
低压SRAM的挑战和方向
影响因子：
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作者：
Masood Qazi;M. Sinangil;A. Chandrakasan
通讯作者：
A. Chandrakasan
采用 65 nm LL-HVT CMOS 的 < 1 pJ 亚 VT 心脏事件检测器
DOI：
10.1109/vlsisoc.2010.5642669
发表时间：
2010
期刊：
2010 18th IEEE/IFIP International Conference on VLSI and System-on-Chip
影响因子：
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作者：
J. Rodrigues;Omer Can Akgun;V. Öwall
通讯作者：
V. Öwall
65 nm CMOS 技术中 Sub-$V_{
m T}$ 域中基于标准单元的存储器的基准测试
影响因子：
4.6
作者：
P. Meinerzhagen;Sherazi Yasser;A. Burg;J. Rodrigues
通讯作者：
J. Rodrigues