Enhancement of the Curie temperature of ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)As
Enhancement of the Curie temperature of ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)As
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铁磁半导体(Ga,Mn)As居里温度的提高
DOI：
10.1007/s11433-012-4959-3
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Zhao JianHua
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wang HaiLong;Chen Lin;Zhao JianHua
本文综述了近年来在提高（Ga,Mn）As的居里温度（TC）方面所做的努力。（Ga,Mn）As被广泛认为是铁磁半导体的原型。详细介绍了重锰掺杂、纳米结构工程和生长后退火等提高TC的方法。
In this review article, we review the progress made in the past several years mainly regarding the efforts devoted to increasing the Curie temperature (TC) of (Ga,Mn)As, which is most widely considered as the prototype ferromagnetic semiconductor. Heavy Mn doping, nanostructure engineering and post-growth annealing which increase TC are described in detail.
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DOI：
10.1007/978-3-662-05003-3
发表时间：
2002
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
D. Awschalom;D. Loss;N. Samarth
通讯作者：
D. Awschalom;D. Loss;N. Samarth
影响因子：
3.2
作者：
M. Missous;S. O’Hagan
通讯作者：
M. Missous;S. O’Hagan
影响因子：
8.6
作者：
Nazmul, AM;Amemiya, T;Tanaka, M
通讯作者：
Tanaka, M
影响因子：
3.7
作者：
K. Yu;W. Walukiewicz;T. Wojtowicz;W. Lim;X. Liu;U. Bindley;M. Dobrowolska;J. Furdyna
通讯作者：
K. Yu;W. Walukiewicz;T. Wojtowicz;W. Lim;X. Liu;U. Bindley;M. Dobrowolska;J. Furdyna
影响因子：
3.7
作者：
H. Raebiger;A. Ayuela;J. Boehm
通讯作者：
H. Raebiger;A. Ayuela;J. Boehm