6H-SiC(000-1)炭素極性面基板上への窒素極性面AlNのMBE成長
6H-SiC(000-1)炭素極性面基板上への窒素極性面AlNのMBE成長
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6H-SiC(000-1)碳极面基底上氮极面AlN的MBE生长
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
木本恒暢
中科院分区：
文献类型：
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作者：
奥村宏典;須田淳;木本恒暢
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利用超高真空扫描隧道显微镜观察 6H-SiC(0001-) 基底上的纳米帽结构
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
Jpn. J. Appl. Phys. 45
影响因子：
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作者：
H. Bang;Y. Ito;Y. Kawamura;E. Hosoda;C. Yoshida;T. Maruyama;S. Naritsuka and M. Kusunoki
通讯作者：
S. Naritsuka and M. Kusunoki
影响因子：
1.2
作者：
Kusunoki, M;Suzuki, T;Ito, M
通讯作者：
Ito, M
影响因子：
2.8
作者：
Kusunoki, M;Suzuki, T;Shibata, N
通讯作者：
Shibata, N
影响因子：
5.7
作者：
Goto, T;Homma, H
通讯作者：
Homma, H
6H-SiC 表面分解中的表面氧化和碳纳米管形成
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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作者：
T. Maruyama;K. Tanioku;S. Naritsuka;丸山隆浩;丸山隆浩
通讯作者：
丸山隆浩