Improved State Integrity of Flip-Flops for Voltage Scaled Retention Under PVT Variation
Improved State Integrity of Flip-Flops for Voltage Scaled Retention Under PVT Variation
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改进触发器的状态完整性，以实现 PVT 变化下的电压缩放保留
DOI：
10.1109/tcsi.2013.2252640
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Yang S
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yang S
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DOI：
10.1109/jssc.2003.813248
发表时间：
2003-07
期刊：
IEEE J. Solid State Circuits
影响因子：
--
作者：
T. Enomoto;Yoshinori Oka;H. Shikano
通讯作者：
T. Enomoto;Yoshinori Oka;H. Shikano
DOI：
10.1109/cicc.2002.1012781
发表时间：
2002-08
期刊：
Proceedings of the IEEE 2002 Custom Integrated Circuits Conference (Cat. No.02CH37285)
影响因子：
--
作者：
R. Krishnamurthy;A. Alvandpour;V. De;S. Borkar
通讯作者：
R. Krishnamurthy;A. Alvandpour;V. De;S. Borkar
DOI：
10.1007/978-3-7091-8990-0_4
发表时间：
1990
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
Peter Alan Lee;Thomas Anderson
通讯作者：
Peter Alan Lee;Thomas Anderson
变化训练的休眠缓存（VTD-Cache）：用于细粒度电压缩放的历史训练变化感知休眠缓存
影响因子：
2.8
作者：
Avesta Sasan;K. Amiri;H. Homayoun;A. Eltawil;F. Kurdahi
通讯作者：
F. Kurdahi
SRAM 中的备用电源电压的硅后调整可减少由于参数数据保留故障造成的良率损失
DOI：
10.1109/tvlsi.2010.2093938
发表时间：
2012
影响因子：
2.8
作者：
A. Nourivand;A. Al;Y. Savaria
通讯作者：
Y. Savaria