Surface Reconstructions on GaN and InN Semipolar (112̄2) Surfaces
Surface Reconstructions on GaN and InN Semipolar (112̄2) Surfaces
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GaN 和 InN 半极性 (112̄2) 表面的表面重构
DOI：
10.1143/jjap.48.120201
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发表时间：
2009
影响因子：
1.5
通讯作者：
T. Ito
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T. Yamashita;T. Akiyama;K. Nakamura;T. Ito
在第一原理总能量计算的基础上，系统地研究了单极GaN(112̄2)和InN(112̄2)表面的重构。表面形成能表明，根据生长条件的不同，表面有几种重构：在富N条件下，含Ga原子的表面是稳定的，而在富Ga(In)条件下，金属重构是有利的。通过对InN(112̄2)表面能带结构的分析，预测了电子在InN表面的积累。此外，我们还提供了在现实生长条件下使用表面相图直接访问半极表面的原子结构的方法。
The reconstructions on semipolar GaN(112̄2) and InN(112̄2) surfaces are systematically investigated on the basis of first-principles total-energy calculations. The surface formation energy clarifies that there are several reconstructions depending on the growth conditions: The surface with a Ga adatom is stable under N-rich conditions, whereas metallic reconstructions are favorable under Ga-rich (In-rich) conditions. The accumulation of electrons on the InN(112̄2) surface is also predicted from the analysis of its band structures. Furthermore, we provide immediate access to the atomic structures of semipolar surfaces under realistic growth conditions using surface phase diagrams.
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DOI：
10.1143/jjap.45.l659
发表时间：
2006-07-01
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS
影响因子：
--
作者：
Funato, Mitsuru;Ueda, Masaya;Mukai, Takashi
通讯作者：
Mukai, Takashi
影响因子：
4
作者：
M. Ueda;K. Kojima;M. Funato;Y. Kawakami;Y. Narukawa;T. Mukai
通讯作者：
M. Ueda;K. Kojima;M. Funato;Y. Kawakami;Y. Narukawa;T. Mukai
选择性MOVPE在(113)Si衬底上生长半极性(11-22)GaN
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
phys.stas.sol.(c) (印刷中)
影响因子：
--
作者：
T. Tanikawa;T. Hikosaka
通讯作者：
T. Hikosaka
影响因子：
3.7
作者：
Bernardini, F;Fiorentini, V;Vanderbilt, D
通讯作者：
Vanderbilt, D
影响因子：
4
作者：
Nishizuka, K;Funato, M;Mukai, T
通讯作者：
Mukai, T