Formation of single-crystal VO2 thin films on MgO(110) substrates using ultrathin TiO2 buffer layers
Formation of single-crystal VO2 thin films on MgO(110) substrates using ultrathin TiO2 buffer layers
复制标题
使用超薄 TiO2 缓冲层在 MgO(110) 基底上形成单晶 VO2 薄膜
DOI：
10.7567/apex.11.085503
复制
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
and H. Tanaka
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Y. Higuchi;T. Kanki;and H. Tanaka
登录
查看更多内容
影响因子：
4.6
作者：
Wei T;Kanki T;Chikanari M;Uemura T;Sekitani T;Tanaka H
通讯作者：
Tanaka H
影响因子：
3.7
作者：
Kawatani, Kenichi;Kanki, Teruo;Tanaka, Hidekazu
通讯作者：
Tanaka, Hidekazu
非平衡金属-绝缘体转变时的介电击穿和雪崩。
影响因子：
8.6
作者：
Ashivni Shekhawat;S. Papanikolaou;S. Zapperi;J. Sethna
通讯作者：
J. Sethna
影响因子：
64.8
作者：
Nakano, M.;Shibuya, K.;Tokura, Y.
通讯作者：
Tokura, Y.
) 独立式 VO2 微结构中的低功率驱动金属-绝缘体转变
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
筒井真楠;森川高典;有馬彰秀;谷口正輝;T. Kanki
通讯作者：
T. Kanki