Photoluminescence and TEM evaluations of defects generated during SiGe-on-insulator virtual substrate fabrication : Temperature ramping process
Photoluminescence and TEM evaluations of defects generated during SiGe-on-insulator virtual substrate fabrication : Temperature ramping process
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绝缘体上 SiGe 虚拟衬底制造过程中产生的缺陷的光致发光和 TEM 评估：升温过程
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Nakashima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D.Wang;S.Ii;K.Ikeda;H.Nakashima;K.Matsumoto;M.Nakamae;H.Nakashima
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