Correlation between non-ionizing energy loss and production rates of an electron trap at EC - (0.12-0.20) eV formed by various energetic particles in gallium nitride
Correlation between non-ionizing energy loss and production rates of an electron trap at EC - (0.12-0.20) eV formed by various energetic particles in gallium nitride
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氮化镓中各种高能粒子形成的 EC - (0.12-0.20) eV 电子陷阱的非电离能量损失与产率之间的相关性
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Jun Suda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Keito Aoshima;Masahiro Horita;Jun Suda
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影响因子：
3.2
作者：
R. Radu;I. Pintilie;L. Nistor;E. Fretwurst;G. Lindstroem;L. Makarenko
通讯作者：
R. Radu;I. Pintilie;L. Nistor;E. Fretwurst;G. Lindstroem;L. Makarenko
在 GaN 独立衬底上生长的 n 型 GaN 中与氮位移相关的电子陷阱
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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作者：
M. Horita;T. Narita;T. Kachi;J. Suda
通讯作者：
J. Suda
SiC 发光二极管中的质子诱导损伤
DOI：
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发表时间：
1998
期刊：
影响因子：
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作者：
P. Hinrichsen;A. Houdayer;A. L. Barry;J. Vincent
通讯作者：
J. Vincent
肖特基势垒高度对深能级瞬态光谱定量分析n型GaN深能级的影响
影响因子：
1.6
作者：
Keito Aoshima;M. Horita;J. Suda
通讯作者：
J. Suda
1-500 MeV 质子的 GaAs LED 寿命损伤常数的能量依赖性
影响因子：
1.8
作者：
A. L. Barry;A. Houdayer;P. Hinrichsen;W. G. Letourneau;J. Vincent
通讯作者：
J. Vincent