Transparent conductive Ga‐doped ZnO films fabricated by MOCVD
Transparent conductive Ga‐doped ZnO films fabricated by MOCVD
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MOCVD法制备Ga掺杂ZnO透明导电薄膜
DOI：
10.1002/pssa.201127324
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
A. Bakin
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
A. Behrends;A. Wagner;M. A. M. Al-Suleiman;H.-J. Lugauer;M. Strassburg;R. Walter;A. Weimar;Andreas Waag;A. Bakin
透明导电氧化物（TCO）用于各种不同的应用，例如，在太阳能电池和发光二极管（LED）中。大多数情况下，使用溅射，这通常导致下面的半导体材料的退化。在这项工作中，我们报告了一个“软”的方法，通过使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）在特别低的温度下，用于制造ZnO薄膜作为TCO层。MOCVD方法已经研究了TCO的关键问题：制造温度，形态，光学和电学性能。在衬底温度仅为300 °C的条件下制备了均方根值低至0.8 nm的非常光滑的ZnO薄膜。Ga掺杂即使在高达2 × 1020cm−3的高载流子浓度下也可以很好地控制，这高于Mott密度，导致薄膜的金属样行为。此外，所有膜在可见光谱范围内显示出优异的光学透明性。因此，我们的MOCVD方法非常适合ZnO基TCO层的软制造。
Transparent conductive oxides (TCOs) are used for a variety of different applications,e.g., in solar cells and light emitting diodes (LEDs). Mostly, sputtering is used, which often results in a degradation of the underlying semiconductor material. In this work we report on a “soft” method for the fabrication of ZnO films as TCO layers by using metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) at particularly low temperatures. The MOCVD approach has been studied focusing on the TCO key issues: fabrication temperature, morphology, optical, and electrical properties. Very smooth ZnO films with rms values down to 0.8 nm were fabricated at a substrate temperature of only 300 °C. Ga‐doping is well controllable even for high carrier concentrations up to 2 × 1020cm−3, which is above the Mott‐density leading to metallic‐like behavior of the films. Furthermore all films show excellent optical transparency in the visible spectral range. As a consequence, our MOCVD approach is well suited for the soft fabrication of ZnO‐based TCO layers.
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影响因子：
1.8
作者：
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通讯作者：
N. Nishimoto;Takahiro Yamamae;T. Kaku;Y. Matsuo;K. Senthilkumar;O. Senthilkumar;J. Okamoto;Y. Yamada;S. Kubo;Y. Fujita
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1.5
作者：
S. Kim;Jinho Jeon;Hyoun-woo Kim;Jae Gab Lee;Chongmu Lee
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S. Kim;Jinho Jeon;Hyoun-woo Kim;Jae Gab Lee;Chongmu Lee
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作者：
A. Bakin;A. Behrends;A. Waag;H. Lugauer;A. Laubsch;K. Streubel
通讯作者：
A. Bakin;A. Behrends;A. Waag;H. Lugauer;A. Laubsch;K. Streubel
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DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
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通讯作者：
Ebihara, Kenji