Formation of Thin NiGe Films by Magnetron Sputtering and Flash Lamp Annealing
Formation of Thin NiGe Films by Magnetron Sputtering and Flash Lamp Annealing
复制标题
磁控溅射和闪光灯退火形成镍锗薄膜
DOI：
10.3390/nano10040648
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
5.3
通讯作者：
L. Rebohle
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
V. Begeza;E. Mehner;H. Stöcker;Y. Xie;A. García;R. Hübner;D. Erb;S. Zhou;L. Rebohle
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闪光灯退火的热传输分析
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
作者：
Hitoshi Habuka;A. Hara;T. Karasawa;M. Yoshioka
通讯作者：
M. Yoshioka
纳米级镍薄膜中非凡的霍尔效应
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
作者：
V. Volkov;V. Levashov;V. Matveev;L. Matveeva;I. Khodos;Y. Kasumov
通讯作者：
Y. Kasumov
金属间化合物 - 形成和应用
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
M. Aliofkhazraei
通讯作者：
M. Aliofkhazraei
采用 HfO2 栅极电介质的 65 nm 应变 Ge p 沟道场效应晶体管具有高空穴迁移率
影响因子：
1.5
作者：
J. Mitard;B. D. Jaeger;G. Eneman;A. Dobbie;M. Myronov;M. Kobayashi;J. Geypen;H. Bender;B. Vincent;R. Krom;J. Franco;G. Winderickx;E. Vrancken;W. Vanherle;Wei;J. Tseng;R. Loo;K. Meyer;M. Caymax;L. Pantisano;D. Leadley;M. Meuris;P. Absil;S. Biesemans;T. Hoffmann
通讯作者：
T. Hoffmann
注入锗的 SiGe 沟道 n-MOSFET
影响因子：
4.9
作者：
C. Selvakumar;B. Hecht
通讯作者：
B. Hecht