Characterization of Single Event Transient Effects in Standard Delay Cells
Characterization of Single Event Transient Effects in Standard Delay Cells
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标准延迟单元中单事件瞬态效应的表征
DOI：
10.1109/icecs49266.2020.9294817
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
R. Kraemer
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Andjelkovic;O. Schrape;A. Breitenreiter;M. Krstic;R. Kraemer
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单错误强化和多错误容错防护双模块冗余技术
DOI：
10.1109/vlsid.2018.71
发表时间：
2018
期刊：
2018 31st International Conference on VLSI Design and 2018 17th International Conference on Embedded Systems (VLSID)
影响因子：
--
作者：
Sai Aparna Aketi;Joycee Mekie;Hemal Shah
通讯作者：
Hemal Shah
中子引起的软错误率的门级缓解技术
DOI：
10.1109/isqed.2005.61
发表时间：
2005
期刊：
Sixth international symposium on quality electronic design (isqed'05)
影响因子：
--
作者：
H. Singh;D. Sylvester;D. Blaauw
通讯作者：
D. Blaauw
偏斜 CMOS：耐噪声高性能低功耗静态电路系列
DOI：
10.1109/tvlsi.2002.800519
发表时间：
2002
期刊：
IEEE Trans. Very Large Scale Integr. Syst.
影响因子：
--
作者：
A. Solomatnikov;D. Somasekhar;N. Sirisantana;K. Roy
通讯作者：
K. Roy
减轻 FinFET 逻辑门中软错误的电路级强化技术
DOI：
10.1109/radecs47380.2019.9745706
发表时间：
2019
期刊：
2019 19th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems (RADECS)
影响因子：
--
作者：
A. Zimpeck;L. Artola;G. Hubert;C. Meinhardt;F. Kastensmidt;Ricardo Reis
通讯作者：
Ricardo Reis
使用去耦单元减轻 CMOS 组合门中的 SET 效应
DOI：
10.1109/icecs.2018.8617996
发表时间：
2018
期刊：
2018 25th IEEE International Conference on Electronics, Circuits and Systems (ICECS)
影响因子：
--
作者：
M. Andjelkovic;M. Babic;O. Schrape;M. Krstic;R. Kraemer
通讯作者：
R. Kraemer