Use of Decoupling Cells for Mitigation of SET Effects in CMOS Combinational Gates
Use of Decoupling Cells for Mitigation of SET Effects in CMOS Combinational Gates
复制标题
使用去耦单元减轻 CMOS 组合门中的 SET 效应
DOI:
10.1109/icecs.2018.8617996
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发表时间:
2018
期刊:
影响因子:
--
通讯作者:
R. Kraemer
中科院分区:
文献类型:
--
作者:
M. Andjelkovic;M. Babic;O. Schrape;M. Krstic;R. Kraemer
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DOI:
--
发表时间:
2012
期刊:
影响因子:
--
作者:
C. Lazzari;G. Wirth;F. Kastensmidt;L. Anghel;R. Reis
通讯作者:
R. Reis
DOI:
10.1109/isqed.2005.61
发表时间:
2005
期刊:
Sixth international symposium on quality electronic design (isqed'05)
影响因子:
--
作者:
H. Singh;D. Sylvester;D. Blaauw
通讯作者:
D. Blaauw
DOI:
--
发表时间:
2009
期刊:
Journal of electronic testing
影响因子:
--
作者:
M. Choudhury;Quming Zhou;K. Mohanram
通讯作者:
K. Mohanram
DOI:
--
发表时间:
2009
期刊:
European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems
影响因子:
--
作者:
F. Kastensmidt;T. Assis;I. Ribeiro;G. Wirth;L. Brusamarello;R. Reis
通讯作者:
R. Reis
DOI:
10.1109/ets.2008.30
发表时间:
2008
期刊:
2008 13th European Test Symposium
影响因子:
--
作者:
Christian G. Zoellin;H. Wunderlich;I. Polian;B. Becker
通讯作者:
B. Becker