Photoluminescence and X-Ray Photoelectron Spectroscopy of p-Type Phosphorus-Doped ZnO Films Prepared by MOCVD
Photoluminescence and X-Ray Photoelectron Spectroscopy of p-Type Phosphorus-Doped ZnO Films Prepared by MOCVD
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MOCVD 制备 p 型磷掺杂 ZnO 薄膜的光致发光和 X 射线光电子能谱
DOI：
10.1088/0256-307x/26/9/098101
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发表时间：
2009-09
影响因子：
3.5
通讯作者：
Peng Xin-Cun
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhang Bao-Lin;Shen Ren-Sheng;Xia Xiao-Chuan;Zhao Wang;Zheng Wei;Guan He-Song;Du Guo-Tong;Dong Xin;Li Xiang-Ping;Peng Xin-Cun
采用金属有机化学气相沉积技术在半绝缘InP衬底上制备了可重复生长的p型掺磷ZnO（p-ZnO：P）薄膜。这些薄膜的电学性质显示空穴浓度为9.02 × 10 17 cm-3，
Reproducible p-type phosphorus-doped ZnO (p-ZnO:P) films are prepared on semi-insulating InP substrates by metal-organic chemical vapour deposition technology. The electrical properties of these films show a hole concentration of 9.02 × 10 17 cm−3, a mobi
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影响因子：
8.6
作者：
R. E. Halsted;M. Aven
通讯作者：
R. E. Halsted;M. Aven
影响因子：
4
作者：
Y. Ryu;T. S. Lee;H. White
通讯作者：
Y. Ryu;T. S. Lee;H. White
DOI：
10.1016/0368-2048(91)85035-r
发表时间：
1991-07-01
影响因子：
1.9
作者：
FRANKE, R;CHASSE, T;MEISEL, A
通讯作者：
MEISEL, A
影响因子：
3.2
作者：
W. Shen;S. Shen
通讯作者：
W. Shen;S. Shen
N 掺杂 ZnO 薄膜中 p 型电导率和受主态的改善
影响因子：
3.4
作者：
Lu, Jianguo;Fujita, Shizuo;Zhang, Yinzhu;Ye, Zhizhen;Liang, Qunian
通讯作者：
Liang, Qunian