Tunneling current characteristics by Al+N isoelectronic traps in Si-TFET; first-principles study
Tunneling current characteristics by Al+N isoelectronic traps in Si-TFET; first-principles study
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Si-TFET 中 Al N 等电子陷阱的隧道电流特性；
DOI：
10.1016/j.mssp.2016.11.031
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
T.Nakayama
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
S.Iizuka;Y.Asayama;T.Nakayama
最近的实验表明，当掺杂Al+N等等电子杂质对时，通过Si p/n结的隧道电流显着增强，这有望实现Si隧道场效应晶体管。为了阐明这种增强的根源，利用第一性原理计算的结果，基于微扰理论研究了 Si p/n 结中 Al+N 等电子陷阱 (IET) 辅助下的电子载流子的隧道概率。我们发现这种增强是由两个因素引起的； (1)IET电子态位于Si的带隙中，作为垫脚石起到减小隧道长度的作用。 (2)由于IET态的局域化特征，电子从价带向IET态的跃迁增加。
Recent experiments showed that the tunneling current through Si p/n junction is remarkably enhanced when isoelectronic impurity pairs such as Al+N are doped, which is promising for realizing Si tunneling field-effect transistors. To clarify the origin of such enhancement, the tunneling probability of electron carriers assisted by an Al+N isoelectronic trap (IET) in Si p/n junction was studied based on the perturbation theory using the results of first-principles calculations. We found that the enhancement is caused by two factors; (1) IET electronic state is located in the band gap of Si and works to decrease the tunneling length as a stepping stone. (2) Due to the localization feature of IET state, the electronic transition from valence bands to the IET state increases.
Si 中等电子杂质配合物的稳定性和电子结构：第一性原理研究
DOI：
10.7567/jjap.55.101301
发表时间：
2016
期刊：
Jpn. J. Appl. Phys.
影响因子：
--
作者：
S. Iizuka;T. Nakayama
通讯作者：
T. Nakayama
热注入对硅基隧道场效应晶体管等电子陷阱增强导通电流的影响
影响因子：
2.3
作者：
T. Mori;W. Mizubayashi;Y. Morita;S. Migita;K. Fukuda;N. Miyata;T. Yasuda;M. Masahara;H. Ota
通讯作者：
H. Ota
[110]Si-Ge薄层超晶格的电子结构
影响因子：
4
作者：
S. Froyen;D. Wood;A. Zunger
通讯作者：
A. Zunger