Stability and electronic structures of isoelectronic impurity complexes in Si: First-principles study
Stability and electronic structures of isoelectronic impurity complexes in Si: First-principles study
复制标题
Si 中等电子杂质配合物的稳定性和电子结构：第一性原理研究
DOI：
10.7567/jjap.55.101301
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
T. Nakayama
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
S. Iizuka;T. Nakayama
InN 薄膜中边位错产生电子载流子：第一性原理研究
影响因子：
1.8
作者：
Y. Takei;T. Nakayama
通讯作者：
T. Nakayama
DOI：
10.1109/iedm.2013.6724744
发表时间：
2013-12
期刊：
2013 IEEE International Electron Devices Meeting
影响因子：
--
作者：
U. Avci;D. Morris;S. Hasan;R. Kotlyar;Raseong Kim;R. Rios;D. Nikonov;I. Young
通讯作者：
U. Avci;D. Morris;S. Hasan;R. Kotlyar;Raseong Kim;R. Rios;D. Nikonov;I. Young
氮掺杂对硅空位聚集过程影响的理论研究
影响因子：
4
作者：
H. Kageshima;A. Taguchi;K. Wada
通讯作者：
K. Wada